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Ein Flächentransistor ist eine frühe Konstruktionsform eines Bipolartransistors, der im Englischen als junction transistor bezeichnet wird. Im Gegensatz zum ersten praktisch realisierten Spitzentransistor („Punktkontakt-Transistor“) werden die Emitter- und Kollektorgebiete nicht durch Aufsetzen zweier Metallspitzen kontaktiert und formiert, sondern weisen flächenhafte Kontaktflächen für die drei Halbleiterzonen (Basis, Emitter und Kollektor) auf.cite-ref-kulp-1-0[1]

Der erste Flächentransistor wurde bereits 1948 von William Bradford Shockley beschrieben und zum Patent angemeldet,cite-ref-2[2] aber erst nach dem ersten Spitzentransistor praktisch realisiert, und war ein gezogener Transistor aus Germanium.cite-ref-lojek-3-0[3] Das Fertigungskonzept des Flächentransistors hatte sich rasch durchgesetzt, auch da zahlreiche Abwandlungen und weitere Verbesserungen Bipolartransistoren mit besseren Eigenschaften ermöglichen. Zu nennen sind hierbei vor allem der Legierungs- und der Diffusionstransistor. Später folgte der Bipolartransistor in Planartechnik sowie Epitaxialtransistoren. Praktisch gesehen sind nahezu alle heutigen Bipolartransistoren der Gruppe der Flächentransistoren zuzuordnen.

cite-note-kulp-11. ↑ Martin Kulp: Röhren- und Transistorschaltungen: Transistortechnik. Vandenhoeck & Ruprecht, 1970, S. 443 ff. & 553 ff.

cite-note-22. ↑ Patent DE814487C: Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie. Angemeldet am 5. Mai 1949, veröffentlicht am 24. September 1951, Anmelder: Western Electric Co, Erfinder: William Shockley.‌

cite-note-lojek-33. ↑ Bo Lojek: History of Semiconductor Engineering. Springer, Berlin 2007, ISBN 978-3-540-34257-1, Grown Junction and Diffused Transistors, S. 41 ff.